Core i3+H55平台超频秘诀

电压设置选项更多

Clarkdale处理器在BIOS电压设置方面也和以往的其他平台有很大差异。我们先来看看H55主板BIOS中的电压调节选项：CPU Voltage、CPU VTT Voltage、GPU Voltage、DRAM Voltage、PCH。与CPU+北桥+南桥的传统设计不同，Clarkdale处理器中不仅集成了显示核心、QPI总线、DMI总线，而且集成了PCI-E总线。因此H55主板上已经不存在北桥与南桥，取而代之以PCH芯片，因此PCH芯片的电压与超频无关，保持默认值就好。CPU Voltage为处理器电压，集成显示核心的Core i5、i3处理器默认电压一般为1.2V，相对安全的超频电压值为1.45V以内。

CPU VTT Voltage在一些主板上被命名为QPI Voltage，也就是QPI总线的电压值，增加该电压的意义与以往超频时增加北桥电压从而提升FSB总线超频幅度相同，而实际使用中该电压还与内存控制器有关。无论提升基准频率还是超频内存，都需要按照相应的一定比例提高CPU VTT Voltage的电压值。GPU Voltage为集成显示核心的工作电压，默认为1.1V，增加到1.3V也是比较安全的。在一些主板中还提供了CPU PLL Voltage设置项，这是CPU频率发生器的电压值，可以根据CPU超频的幅度把该电压适当增加到1.8～1.9V，能够提高超频的成功率。DRAM Voltage为大家非常熟悉的内存电压设置，DDR3内存颗粒的默认工作电压比较低，一般为1.5V，我们超频时可以适当增加到1.65～1.7V，电压如果继续调高可能会损坏硬件。

★小技巧

使用H55搭配Clarkdale处理器的平台在超频内存时，内存时序参数的调节比盲目增加内存电压更为重要。Clarkdale处理器集成了内存控制器，它的时序参数有个小特点，只要把tRCD参数调得比较高，就能够在高频下大程度的降低CL、CR等其他参数，以获得更好的性能提高。

适当增加tRCD设置值，可以降低CL等其他的内存时序参数。

后的超频实战

在这个平台上，可以通过超频来提升性能的有四个部分：处理器、显卡、QPI总线和内存。四者互相影响和制约，因此首先我们要弄清楚这四个部分的超频体质如何。进入主板BIOS中，把QPI总线倍频设置为低的12×，内存分频系数设置为低的3，显示核心频率降低到400MHz，这样就能减少这三项对CPU超频的影响。

并且按照上表设置各部分电压，逐步加压。后，处理器电压在1.45V左右，而VTT电压为1.595V，此时基准频率提升到了209MHz，处理器主频顺利提升至4.6GHz。总之，整合显示核心的Clarkdale处理器超频思路和其它处理器是一样的，就是降低和基准频率（外频）相关联的外围设备的倍频系数，防止产生超频限制。只是Clarkdale处理器又多了一样需要事先降频的设备—整合显卡。